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論文

Biomineralization of vivianite on the carbon steel surface attacked by the iron reducing bacteria

Lee, S.; 吉川 英樹; 松井 敏也*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1265, p.209 - 214, 2010/11

鉄還元菌共存下での炭素鋼腐食試験を実施した。41日の培養条件で、バイオフイルムの生成と腐食生成物が確認され、腐食生成物はSEM観察等を実施した。本実験の結果、防食機能を持つVivianiteが微生物の作用で腐食生成物として生成することが確認された。

論文

Seismic tomography investigation in 140m gallery in the Horonobe URL project

杉田 裕; 中村 隆浩; 真田 祐幸; 相澤 隆生*; 伊東 俊一郎*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1265, p.39 - 44, 2010/11

日本原子力研究開発機構は、北海道幌延町に分布する堆積岩の深部地質環境を調査することにより地層処分技術に関する信頼性の向上を行っている。放射性廃棄物を深部地層に処分するために坑道を地下深部に掘削する場合、坑道の周囲には掘削影響領域が発生する。地下140mの調査坑道において、原位置掘削影響試験を行った。試験では、弾性波トモグラフィー調査を行った。調査領域は、坑道壁面近傍の3m四方のエリアである。調査坑道の掘削の進捗とともに弾性波トモグラフィー調査を繰り返し行い、坑道周囲に弾性波速度の変化領域が観測された。弾性波トモグラフィー調査は、坑道周囲に発生した掘削影響領域を捉えることができた。

論文

Electronic structure of La(Fe$$_{0.88}$$Si$$_{0.12}$$)$$_{13}$$

鎌倉 望; 岡根 哲夫; 竹田 幸治; 藤森 伸一; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 藤森 淳; 藤田 麻哉*; 藤枝 俊*; 深道 和明*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1262, 6 Pages, 2010/10

La(Fe$$_{0.88}$$Si$$_{0.12}$$)$$_{13}$$ shows peculiar magnetic properties such as the first order paramagnetic-ferromagnetic transition and magnetic-field induced metamagnetic transition accompanied by the lattice expansion. The practical application using the magnetic transition temperature controlled by hydrogen absorption is expected in this compound. Here, the electronic structure of La(Fe$$_{0.88}$$Si$$_{0.12}$$)$$_{13}$$ has been investigated by photoemission spectroscopy using synchrotron soft X-rays. The Fe 3$$s$$ core-level photoemission spectra below and above the Curie temperature $$T$$$$_{C}$$ exhibit a satellite structure at $$sim$$ 4.3 eV higher binding energy than the main peak, which is attributed to the exchange splitting due to the local moment of Fe. The valence band photoemission spectrum shows temperature dependence across the $$T$$$$_C$$. The temperature dependence of the photoemission spectra is discussed based on the difference between the electronic structure in the ferromagnetic phase and that in the paramagnetic phase.

論文

Anisotropy of antiferromagnetic spin fluctuations in the heavy fermion superconductors of Ce${it M}$In$$_5$$ and Pu${it M}$Ga$$_5$$ (${it M}$=Co, Rh)

酒井 宏典; 神戸 振作; 徳永 陽; 芳賀 芳範; Baek, S.-H.*; Ronning, F.*; Bauer, E. D.*; Thompson, J. D.*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1264, p.69 - 79, 2010/10

重い電子系Ce${it M}$In$$_5$$とPu${it M}$Ga$$_5$$ (${it M}$=Co, Rh)において、核磁気共鳴(NMR)法を用いて微視的に反強磁性スピン揺らぎの異方性を調べた。ナイトシフトと核スピン格子緩和率$$1/T_1$$のデータは、これらの非通常型超伝導体の通常状態におけるXY型の異方性を示唆した。さらに、正方晶115型超伝導体では、常伝導体であるUFeGa$$_5$$や反強磁性体UPtGa$$_5$$や、NpCoGa$$_5$$, NpFeGa$$_5$$などに比べて、その異方性は大きくなっており、XY型の反強磁性揺らぎの強い系ほど超伝導転移温度が高いということがわかった。

論文

Influence of operational conditions on retardation parameters measured by diffusion experiment in compacted bentonite

石井 康雄; 清田 佳美; 舘 幸男; 吉川 英樹

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1265, p.233 - 238, 2010/09

拡散試験における試験溶液の淀みやフィルター拡散抵抗などの試験条件変化についてCs, Iを用いて測定し、モデル解析を用いてこれら効果の不確実性について見積もった。拡散パラメーター取得において、RD法だけではなく、同時にIDデータを取得して解析することで誤差を有効に低減できることを実験並びにモデル解析により明らかにした。

論文

Real-time and direct observation of hydrogen absorption dynamics for Pd nanoparticles

松村 大樹; 岡島 由佳; 西畑 保雄; 水木 純一郎

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1262, 6 Pages, 2010/05

アルミナ上パラジウム微粒子の動的局所構造を分散型光学系を有するX線吸収分光法にて直接観測した。X線吸収分光の重要な4つのパラメータを、50Hz測定という高速測定であるのにもかかわらず、決定することに成功した。結果、パラジウム微粒子は200kPaの水素分圧の下で50msという短時間で水素化物相へと変化することがわかった。格子の膨張に伴う歪は観測されなかった。

論文

In situ study of strain relaxation mechanisms during lattice-mismatched InGaAs/GaAs growth by X-ray reciprocal space mapping

佐々木 拓生*; 鈴木 秀俊*; 崔 炳久*; 高橋 正光; 藤川 誠司; 大下 祥雄*; 山口 真史*

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1268, 6 Pages, 2010/05

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.01(Materials Science, Multidisciplinary)

The in situ X-ray reciprocal space mapping (in situ RSM) of symmetric diffraction measurements during lattice-mismatched InGaAs/GaAs(001) growth were performed to investigate the strain relaxation mechanisms. The evolution of the residual strain and crystal quality were obtained as a function of InGaAs film thickness. Based on the results, the correlation between the strain relaxation and the dislocations during the film growth were evaluated. As a result, film thickness ranges with different relaxation mechanisms were classified, and dominant dislocation behavior in each phase were deduced. From the data obtained in in situ measurements, the quantitative strain relaxation models were proposed based on a dislocation kinetic model developed by Dodson and Tsao. Good agreement between the in situ data and the model ensured the validity of the dominant dislocation behavior deduced from the present study.

論文

Geo-descriptive modeling of water conducting features characterized in sedimentary formations in Horonobe area of Japan

畑中 耕一郎; Lim, D.-H.*; 石井 英一

Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol.1265, 6 Pages, 2010/00

幌延地域の堆積岩中に分布する不連続な透水構造に着目して、3次元不連続亀裂ネットワークモデルを構築した。具体的には、幌延深地層研究計画における主たる調査研究場所である研究所設置地区周辺に分布する亀裂/断層系を、地上からの調査研究で取得した物理検層データ,地質学的なデータ,亀裂/断層データを考慮して特性の評価を行った。また、重要パラメータである亀裂/断層系の体積密度を他のデータとの相関性を考慮して推定し、3次元不連続亀裂ネットワークモデルを構築するに際してのベースとした。その結果、不連続な透水構造として同定された亀裂/断層システムについての3次元不連続亀裂ネットワークモデルが構築できた。このモデル化の方法は、我が国の高レベル放射性廃棄物処分場の性能評価をする際のパラメータを導出するための根拠とすることができる。

口頭

Development of an energy domain $$^{57}$$Fe M$"o$ssbauer spectrometer using synchrotron radiation and its application to ultrahigh-pressure study on metal hydrides

三井 隆也; 平尾 直久*

no journal, , 

最近、われわれはエネルギー領域の放射光メスバウアー分光とX線集光装置を利用した新しい超高圧下放射光メスバウアー分光装置を開発した。本装置で得られる高輝度メスバウアービームは、RI線源に比べて桁違いの光子密度を有するため、従来では測定が困難であったDACによる超高圧力条件下金属水素化反応や地球中心に相当する超高圧力下の物性研究を可能にする。本報告会では、上記装置の紹介を行うとともに鉄水素化物の圧力誘起磁気転移や300GPaを超える超高圧下での希土類鉄合金の磁気,構造変化に関して調べた結果を紹介する。

口頭

Study of the electronic structure of AlH$$_{3}$$ using soft X-ray emission and absorption spectroscopy

竹田 幸治; 斎藤 祐児; 山上 浩志; 齋藤 寛之; 町田 晃彦; 青木 勝敏; 室 隆桂之*; 加藤 有香子*; 木下 豊彦*

no journal, , 

金属水素化物はエネルギー貯蔵材料として注目されている。本研究では高圧合成に成功したAlH$$_{3}$$について、軟X線発光分光及び軟X線内殻吸収実験を行うことにより、Al 3p電子の非占有・占有電子状態を初めて実験的に明らかにした。またAl金属との比較により、Alの3pが水素化によって増加することを見いだした。この傾向はバンド構造計算の結果とも一貫していることがわかった。

口頭

Controlling the interface between graphene and SiC by use of graphene-on-silicon technology

吹留 博一*; 高橋 良太*; 今泉 京*; 半田 浩之*; 末光 眞希*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿

no journal, , 

Si基板上にガスソースMBE法で成長させたSiC薄膜を真空中で加熱することによって最表面をグラフェン化することに初めて成功した。その界面を制御することが課題である。本発表ではSi基板の面方位とグラフェン-SiC界面の関係を述べる。Si(110), Si(100), Si(111)基板上にそれぞれSiC(110, SiC(100), SiC(111)面のSiC薄膜を形成できる。それらを1523Kに加熱することによってSiC上にグラフェン膜が形成された。放射光を用いたC1s光電子分光によって、SiC(100)及びSiC(110)とグラフェン膜の間には中間層がないが、SiC(111)とグラフェン膜の間には中間層が存在することがわかった。

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